增強(qiáng)型和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特點(diǎn)和用途
來源:凱高達(dá)資訊組 時(shí)間:2012-02-07 瀏覽次數(shù):3599
總的來說,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時(shí)存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時(shí)不存在溝道、不能夠?qū)щ姷腇ET。
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